الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD09N03LB G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD09N03LB G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12801415
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD09N03LB G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
50A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 20µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1600 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
58W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3-11
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD09N
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
IPD09N03LB G
ورقة بيانات HTML
IPD09N03LB G-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
SP000016412
IPD09N03LB G-DG
IPD09N03LBG
IPD09N03LBGXT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
94138
DiGi رقم الجزء
IPD090N03LGATMA1-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
DMN3010LK3-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
1639
DiGi رقم الجزء
DMN3010LK3-13-DG
سعر الوحدة
0.19
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDD8880
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
13967
DiGi رقم الجزء
FDD8880-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSL372SNH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 2A TSOP-6
IPB049N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
IPP530N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3
IPA60R280E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP